8205HA 20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 23mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 21mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 19mΩ
特点
专有的先进平面技术
高密度超低电阻设计
大功率、大电流应用
理想的锂电池应用
封装形式：SOT23-6
SOT23
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