K9F2G08U0A FLASH存储器

产品目录

  部件号 Vcc范围

  K9F2G08R0A-J 1.65 ~ 1.95V

  K9F2G08U0A-P 2.70 ~ 3.60V

  K9F2G08UOA-I X8

  组织

  pkg的类型

  FBGA

  TSOP1

  52ULGA
特征/k9f2g08 编辑
  ·

  电源电压

  - 1.65V ~ 1.95V

  - 2.70V ~ 3.60V

  ·

  组织

  -记忆电池阵列: (256M + 8M) x 8bit

  -数据寄存器 : (2K + 64) x 8bit

  ·

  自动编程和擦除

  -页编程: (2K + 64)字节

  -块擦除: (128K + 4K)字节

  ·

  页面读操作

  -页面大小: (2K + 64)字节

  -随机读: 25µs(最大)

  -串行访问: 25ns(分钟)

  (*K9F2G08R0A: tRC = 42ns(民))

  ·

  快速写周期时间

  -页编程时间: 200µs(Typ.)

  -块擦除时间: 1.5ms(Typ.)

  ·

  命令/地址/数据多路复用I / O端口

  ·

  Hardware Data Protection

  -编程/擦除在电源转换分离

  ·

  可靠CMOS浮动门技术

  耐久性的: 100K编程/擦除周期(与1bit/512Byte

  ECC)

  -年数据保存: 10

  ·

  命令式操作

  ·

  智能复制回内部1bit/528Byte EDC

  ·

  独特的ID版权保护

  ·

  包装 :

  - K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : Pb-FREE 包装

  63 -球FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm间距)

  - K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : Pb-FREE 包装

  48 -针TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm间距)

  - K9F2G08U0A-ICB0/IIB0

  52 -针ULGA (12 x 17 / 1.00 mm间距)

在256Mx8bit,提供的K9F2G08X0A是2G-bit NAND带有备用闪存 64M-bit.及其NAND 电池提供了最具成本

  有效地解决了固态的应用市场.一个程序的运行可以进行典型200µs在(2K+64)字节

  页面和一个可以执行擦除操作在上一(1.5ms)字节的块典型128K+4K.数据中的数据可以读出寄存器

  在25ns(42ns与1.8V装置)每字节的周期时间.该I / O pins充当地址和数据输入/输出端口以及com-

  mand输入.片上写控制器自动完成所有程序和擦除包括脉冲的重复,在必要功能,

  内部核查和数据余量.即使是写密集型系统可以充分利用扩展K9F2G08X0A′s reli-

  100K方案的能力/擦除提供实时映射出算法ECC(错误纠正代码)周期.该

  K9F2G08X0A是大型非易失性存储应用,如固态文件存储和其它便携式最佳的解决方案

  适用于需要非波动.

该K9F2G08X0A是2,112Mbit(2,214,592,512位)内存131,072 rows(页)由2,112x8列.备用64x8

  列从列2,048~2,111.一个2,112-byte数据寄存器地址位于连接到内存电池阵列住宿,

  测年数据之间的I / O缓冲器和存储器传输在页面读取和页编程操作.内存阵列由

  注册的EH HH是串行连接,形成一个32结构的细胞.每个单元的NAND驻留在不同的页面.一个块由32

  两个NAND结构字符串.阿NAND结构由32细胞.共有1,081,344 NAND细胞存在于一个块.该方案

  执行读操作和网页上的基础,而擦除操作是基于块的基础上执行.存储器阵列con-

  sists的2,048分别可擦除128K-byte块.这表明一点一滴擦除操作是禁止的K9F2G08X0A.

  该K9F2G08X0A已进入8我/ Os复用的地址.该方案大大降低了针数,并允许系统升级

  要通过保持在系统电路板设计的一致性未来密度.命令,地址和数据都通过书面I/O的由

  我们要低,使CE低.这些被锁在WE的上升沿.命令锁存启用(CLE)及地址锁存

  使能(ALE)用于通过I多路命令和地址分别输入/输出pins.有些命令需要一个总线周期.对于

  例如,复位命令,状态读命令,etc需要的只是一个周期总线.其他一些命令,如网页读取和块

  擦除和页编程,需要两个周期:一个周期的设置和执行其他的周期.物理空间的264M字节

  需要29地址,因此需要解决: 2周期的列地址,行地址3周期,在五年周期,

  秩序.页面读取和页编程需要相同的五个地址周期后,输入所需的命令.在块擦除oper-

  振动性,但是,只有三排地址周期使用.设备操作由记录选择特定的命令到

  命令寄存器.表1定义的特定命令的K9F2G08X0A.

  除了增强型体系结构和接口,该设备采用从一个网页复制到另一回程序功能

  网页无数据传输和从外部缓冲存储器的需求.由于耗时串行存取和

  数据输入周期将被删除,系统固态硬盘的应用性能显着提高.

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。

  下面简单对三星的颗粒编号作一个介绍:

  编码规则:K 4 X X X X X X XX - X X X X

  主要含义:

  第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。

  第2位——芯片类型4,代表DRAM。

  第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。

  第4、5位——容量,容量相同的颗粒采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量;28、27、2A代表16Mbit的容量;56、55、57、5A代表32Mbit的容量;51代表64Mbit的容量。

  第6、7位——表示颗粒位宽,16代表16位;32代表32位;64代表64位。

  第11位--空格,没有实际意义。

  第12、13位――为速度标志。

  第14、15位——芯片的速率数据。