K9F2G08U0A FLASH存储器

产品目录

　　部件号 Vcc范围

　　K9F2G08R0A-J 1.65 ~ 1.95V

　　K9F2G08U0A-P 2.70 ~ 3.60V

　　K9F2G08UOA-I X8

　　组织

　　pkg的类型

　　FBGA

　　TSOP1

　　52ULGA
特征/k9f2g08 编辑
　　·

　　电源电压

　　- 1.65V ~ 1.95V

　　- 2.70V ~ 3.60V

　　·

　　组织

　　-记忆电池阵列: (256M + 8M) x 8bit

　　-数据寄存器 : (2K + 64) x 8bit

　　·

　　自动编程和擦除

　　-页编程: (2K + 64）字节

　　-块擦除: (128K + 4K）字节

　　·

　　页面读操作

　　-页面大小: (2K + 64）字节

　　-随机读: 25µs（最大）

　　-串行访问: 25ns（分钟）

　　(*K9F2G08R0A: tRC = 42ns（民））

　　·

　　快速写周期时间

　　-页编程时间: 200µs(Typ.)

　　-块擦除时间: 1.5ms(Typ.)

　　·

　　命令/地址/数据多路复用I / O端口

　　·

　　Hardware Data Protection

　　-编程/擦除在电源转换分离

　　·

　　可靠CMOS浮动门技术

　　耐久性的: 100K编程/擦除周期（与1bit/512Byte

　　ECC)

　　-年数据保存: 10

　　·

　　命令式操作

　　·

　　智能复制回内部1bit/528Byte EDC

　　·

　　独特的ID版权保护

　　·

　　包装 :

　　- K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 : Pb-FREE 包装

　　63 -球FBGA I (10 x 13 / 0.8 mm间距）

　　- K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 : Pb-FREE 包装

　　48 -针TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm间距）

　　- K9F2G08U0A-ICB0/IIB0

　　52 -针ULGA (12 x 17 / 1.00 mm间距）

在256Mx8bit,提供的K9F2G08X0A是2G-bit NAND带有备用闪存 64M-bit.及其NAND 电池提供了最具成本

　　有效地解决了固态的应用市场.一个程序的运行可以进行典型200µs在（2K+64）字节

　　页面和一个可以执行擦除操作在上一（1.5ms）字节的块典型128K+4K.数据中的数据可以读出寄存器

　　在25ns(42ns与1.8V装置）每字节的周期时间.该I / O pins充当地址和数据输入/输出端口以及com-

　　mand输入.片上写控制器自动完成所有程序和擦除包括脉冲的重复，在必要功能，

　　内部核查和数据余量.即使是写密集型系统可以充分利用扩展K9F2G08X0A′s reli-

　　100K方案的能力/擦除提供实时映射出算法ECC（错误纠正代码）周期.该

　　K9F2G08X0A是大型非易失性存储应用，如固态文件存储和其它便携式最佳的解决方案

　　适用于需要非波动.

该K9F2G08X0A是2,112Mbit(2,214,592,512位）内存131,072 rows（页）由2,112x8列.备用64x8

　　列从列2,048~2,111.一个2,112-byte数据寄存器地址位于连接到内存电池阵列住宿，

　　测年数据之间的I / O缓冲器和存储器传输在页面读取和页编程操作.内存阵列由

　　注册的EH HH是串行连接，形成一个32结构的细胞.每个单元的NAND驻留在不同的页面.一个块由32

　　两个NAND结构字符串.阿NAND结构由32细胞.共有1,081,344 NAND细胞存在于一个块.该方案

　　执行读操作和网页上的基础，而擦除操作是基于块的基础上执行.存储器阵列con-

　　sists的2,048分别可擦除128K-byte块.这表明一点一滴擦除操作是禁止的K9F2G08X0A.

　　该K9F2G08X0A已进入8我/ Os复用的地址.该方案大大降低了针数，并允许系统升级

　　要通过保持在系统电路板设计的一致性未来密度.命令，地址和数据都通过书面I/O的由

　　我们要低，使CE低.这些被锁在WE的上升沿.命令锁存启用（CLE）及地址锁存

　　使能（ALE）用于通过I多路命令和地址分别输入/输出pins.有些命令需要一个总线周期.对于

　　例如，复位命令，状态读命令，etc需要的只是一个周期总线.其他一些命令，如网页读取和块

　　擦除和页编程，需要两个周期：一个周期的设置和执行其他的周期.物理空间的264M字节

　　需要29地址，因此需要解决: 2周期的列地址，行地址3周期，在五年周期，

　　秩序.页面读取和页编程需要相同的五个地址周期后，输入所需的命令.在块擦除oper-

　　振动性，但是，只有三排地址周期使用.设备操作由记录选择特定的命令到

　　命令寄存器.表1定义的特定命令的K9F2G08X0A.

　　除了增强型体系结构和接口，该设备采用从一个网页复制到另一回程序功能

　　网页无数据传输和从外部缓冲存储器的需求.由于耗时串行存取和

　　数据输入周期将被删除，系统固态硬盘的应用性能显着提高.

目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

　　下面简单对三星的颗粒编号作一个介绍：

　　编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X

　　主要含义：

　　第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

　　第2位——芯片类型4，代表DRAM。

　　第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。

　　第4、5位——容量，容量相同的颗粒采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表8Mbit的容量；28、27、2A代表16Mbit的容量；56、55、57、5A代表32Mbit的容量；51代表64Mbit的容量。

　　第6、7位——表示颗粒位宽，16代表16位；32代表32位；64代表64位。

　　第11位－－空格，没有实际意义。

　　第12、13位――为速度标志。

　　第14、15位——芯片的速率数据。