预期2018年以后全球NAND Flash产能供给将以每年平均40%速度稳定成长

全球存储器芯片供应商均观察到NAND Flash市场需求增长态势,包括三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)、威腾(WD)及美光等,持续投资扩增NAND Flash产能,美光更预期NAND Flash需求增长将会远超过DRAM。

美光认为,随着NAND Flash存储器从2D转向3D世代,生产制造的资本需求大幅增加,相较于先前2D NAND Flash世代,第一代32层3D NAND Flash在每片晶圆产出位元数量虽显著增加,然在每一接续世代节点转换时,不仅资本支出随之增加,每片晶圆产出位元的增长速度亦减缓下来,过去3年来NAND产能供给成长幅度维持在约40%,未来即使资本支出有所提升,预期产能增长速度亦将维持在约40%的水准。

  以美光的情况为例,为取得更好的投资报酬率,并领先竞争对手,美光持续投资先进制程节点开发,在2013年时,美光仍以20纳米制程生产MLC 2D NAND Flash,当时相较于竞争对手约有65%的成本劣势,然过去几年美光持续加码先进制程资本支出,目前在3D NAND Flash市场已站稳领先群角色,2017年成本优势已超过竞争对手达15%。

  事实上,美光旗下NAND Flash业务转折点可说是始自2015年,当时美光与英特尔合作导入CUA(CMOS under Array)架构,转型到32层3D NAND Flash,正是该架构替美光带来显著的成本效益,2017年64层3D NAND及2018年96层3D NAND均沿用CUA架构,第四代3D NAND更结合CUA架构与Charge Trap Cell技术,可增加频宽逾30%,并降低功耗至少40%,以符合未来多重终端市场的需求。

  美光预期2017~2021年NAND Flash需求将以年复合增长率40~45%的速度成长,其增长动能大多数来自于更多先进客户端与企业用SSD需求挹注,且随着高画质影音及影像需求更多的移动储存空间,移动市场亦将是带动NAND Flash需求增长的关键动能之一。

  根据美光提供的资料显示,2013~2017年NAND Flash需求增长325%,且绝大多数来自于移动NAND的增加,同时客户端和企业用固态硬碟(SSD)采用量亦增加,这是由于服务器厂商持续以SSD取代传统HDD。

  硬碟供应商威腾于2016年收购第二大SSD厂商闪迪,英特尔亦开始生产3D NAND及企业用SSD,以搭配自家服务器处理器使用,如今由闪迪延揽来的美光执行长Sanjay Mehrotra及重要干部,正带领美光营运发展及改善旗下SSD产能与产品结构。