MT41K512M8RH-125IT:E 512M × 8 全新原装现货

MT41K512M8RH-125M:E

厂商名称: Micron Technology, Inc.

MT41K512M8RH-125M:E元件分类: 存储器

MT41K512M8RH-125M:E中文描述:
512M × 8 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA78
MT41K512M8RH-125M:E英文描述:
512M X 8 DDR DRAM, PBGA78
  • 参数列表
    功能数量 1
    端子数量 78
    最大供电/工作电压 1.45 V
    最小供电/工作电压 1.28 V
    额定供电电压 1.35 V
    加工封装描述 9 × 10.50 MM, 铅 FREE, FBGA-78
    E状态 ACTIVE
    E工艺 CMOS
    包装形状 矩形的
    包装尺寸 GRID 阵列, THIN PROFILE, FINE PITCH
    表面贴装 Yes
    端子形式 BALL
    端子间距 0.8000 mm
    端子位置 BOTTOM
    包装材料 塑料/环氧树脂
    内存宽度 8
    组织 512M × 8
    存储密度 4.29E9 deg
    操作模式 同步
    位数 5.37E8 words
    位数 512M
    存取方式 多 BANK PAGE BURST
    内存IC类型 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
    端口数 1