MT41K512M8RH-125IT:E 512M × 8 全新原装现货
MT41K512M8RH-125M:E
厂商名称： Micron Technology, Inc.
MT41K512M8RH-125M:E元件分类： 存储器
MT41K512M8RH-125M:E中文描述：
512M × 8 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA78
MT41K512M8RH-125M:E英文描述：
512M X 8 DDR DRAM, PBGA78
参数列表
| 功能数量 |
1 |
| 端子数量 |
78 |
| 最大供电/工作电压 |
1.45 V |
| 最小供电/工作电压 |
1.28 V |
| 额定供电电压 |
1.35 V |
| 加工封装描述 |
9 × 10.50 MM, 铅 FREE, FBGA-78 |
| E状态 |
ACTIVE |
| E工艺 |
CMOS |
| 包装形状 |
矩形的 |
| 包装尺寸 |
GRID 阵列, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 表面贴装 |
Yes |
| 端子形式 |
BALL |
| 端子间距 |
0.8000 mm |
| 端子位置 |
BOTTOM |
| 包装材料 |
塑料/环氧树脂 |
| 内存宽度 |
8 |
| 组织 |
512M × 8 |
| 存储密度 |
4.29E9 deg |
| 操作模式 |
同步 |
| 位数 |
5.37E8 words |
| 位数 |
512M |
| 存取方式 |
多 BANK PAGE BURST |
| 内存IC类型 |
双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器 |
| 端口数 |
1 |
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